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第二百九十章 新[3/3页]

　　距，再加上材料方面采用的是全新的碳基的半导体材料。

　　这使得在进行了相应的工艺升级之后，整体的处理器芯片在相应的新工艺的价值之下，能够节约大概10%的占用面积同时在功耗方面缩减25%。

　　在新材料的加持之下，甚至这一次的处理器芯片，在相应的频率方面也能够得到相应的提高，在提高频率之后也能够防止栅极漏电的情况。

　　这也就意味新的工艺配合着新的材料，能够使得生产的处理器芯片在功耗表现方面拥有着更为突出的表现，同时在极致性的方面也能够得到充分的发挥。

　　而有了如此全新的工艺之后，羽震半导体也生产了自家公司的第一款四纳米制程工艺的处理器芯片。

　　天璇20X1！

　　这也是今年羽震半导体对移动端市场输送的最为顶尖的超高端旗舰处理器芯片。

　　相比于已发布的处理器芯片来说，这款处理器芯片的各个方面都是最新的工艺。

　　首先新的制程，第一款四纳米制程工艺处理器芯片。

　　其次新的芯片堆叠架构，五层堆叠架构！

　　然后在处理器核心方面也是采用了最新的核心架构。

　　在性能方面，首次采用了最新Z16和H16新的CPU和GPU核心架构。

　　其中全新的，Z16的CPU核心相比于上一代的Z15来说，极致性能提升了15%，功耗降低了5%。

　　不过在中低频率方面，Z15的整体的能耗比还是要比极致性能的Z16要稍微的好上一点点。

　　H16这颗GPU核心相比于上代来说，在功耗不变的前提之下，整体的性能提升了25%。

　　并且这一次CPU架构也采用了全新的立体式堆叠架构，1+2+3+4+6五层堆叠架构！

　　16颗核心的顶尖CPU！

　　这一次的羽震半导体可谓是在芯片堆叠方面下足了功夫，直接将原本的10核心架构升级到了16核心架构。

　　并且在原本的四层堆叠架构的缓存也得到了升级。

　　原本的“1+2+3+4”四层堆叠，在各个堆叠层的缓存从高到低分别是64M，16M，4M，512K。

　　而在将核心堆叠架构升级到最高水平之后，整体的堆叠架构缓存也得到了提升。

　　顶层64M，其次32M，16M，4M，512K。

　　整个堆叠的在第二层性能核心的缓存得到了提升，这也就意味着第2层的核心性能是目前整个处理器芯片CPU的重要性能提供部分。じ☆veWWω.ЫＫメＳ.иＥｔ✾ ั

　　首先这一次主超大核心采用一颗3.2Ghz的Z16核心，第2层的两颗大核心则是采用了2.8Ghz的Z16大核心。

　　而到了第三层和第四层的时候核心却采用在中低频率方面功耗更低的Z15核心。

　　三颗2.4Ghz的Z15核心+四颗2.2Ghz的Z15核心。

　　至于在最底层采用了6颗全新的Z6能效核心，Z6的能效核心相较于Z5的能效核心来说性能提升了5%，但功耗却缩减了20%。

　　六颗能效小核心，也能够让这款处理器芯片在低频率的情况之下拥有着更好的表现力。

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